GaN系列紫外探测器 LD-G410-100T
LD-G410-100T是一款基于氮化铟镓材料的宽带紫外光电二极管，采用光伏模式工作，封装于TO-46金属管壳内。该探测器对UVA、UVB和UVC波段均有响应，具有良好的可见光盲特性、高响应度和低暗电流，适用于紫外辐射监测、UV LED监控和UV固化等应用。
下载规格书 PDF产品特点 / Product Features
- ◆ 基于氮化铟镓材料
- ◆ 宽带UVA+UVB+UVC光电二极管
- ◆ 光伏模式工作
- ◆ TO-46金属封装
- ◆ 良好的可见光盲特性
- ◆ 高响应度和低暗电流
技术参数 / Technical Specification
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 光谱特性 (25 °C) | |
| 峰值响应波长 | 410 nm |
| 峰值响应度 (在410 nm处) | 0.265 A/W |
| 光谱响应范围 | 220~440 nm |
| UV/可见光抑制比 (Rmax/R440 nm) | >10^4 |
| 一般特性 (25 °C) | |
| 芯片尺寸 | 1 mm² |
| 暗电流 (1 V反向偏压) | <1 nA |
| 电容 (在0 V和1 MHz下) | 300 pF |
| 温度系数 | -0.1 %/°C |
| 最大额定值 | |
| 工作温度范围 | -40~85 °C |
| 存储温度范围 | -40~85 °C |
| 焊接温度 (3 s) | 260 °C |
| 反向电压 | 10 V |
