SiC系列紫外探测器 LD-S275-100T
LD-S275-100T是一款基于碳化硅材料的宽波段紫外探测器，覆盖UVA、UVB和UVC光谱。它采用光伏模式工作，封装于TO-46金属管壳内，具有良好的可见光盲特性和高响应度、低暗电流等优点，适用于紫外线指数监测、辐射剂量测量和火焰检测等应用。
下载规格书 PDF产品特点 / Product Features
- ◆ 基于碳化硅材料
- ◆ 宽波段UVA+UVB+UVC光电二极管
- ◆ 光伏模式工作
- ◆ TO-46金属封装
- ◆ 良好的可见光盲特性
- ◆ 高响应度和低暗电流
技术参数 / Technical Specification
| 参数 | 规格 |
|---|---|
| 光谱特性 (25 °C) | |
| 峰值响应波长 | 275 nm |
| 峰值响应度 (在275 nm处) | 0.13 A/W |
| 光谱响应范围 | 200~380 nm |
| 紫外/可见光抑制比 (Rmax/R400 nm) | >10^4 |
| 一般特性 (25 °C) | |
| 芯片尺寸 | 1 mm² |
| 暗电流 (1 V反向偏压) | <10 pA |
| 电容 (在0 V和1 MHz下) | 97 pF |
| 温度系数 | -0.1 %/°C |
| 最大额定值 | |
| 工作温度范围 | -40~125 °C |
| 存储温度范围 | -40~125 °C |
| 焊接温度 (3 秒) | 260 °C |
| 反向电压 | 20 V |
