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SiC系列紫外探测器 LD-S275-025T

SiC系列紫外探测器 LD-S275-025T

一款基于碳化硅材料的宽带紫外探测器,覆盖UVA、UVB和UVC波段,采用光伏模式工作,封装于TO-46金属外壳中。该器件具有良好的可见光盲特性,响应度高且暗电流低,适用于紫外线指数监测、辐射剂量测量及火焰探测等应用。

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产品特点 / Product Features

  • 基于碳化硅材料
  • 覆盖UVA+UVB+UVC波段的宽带紫外光电二极管
  • 光伏模式工作
  • TO-46金属外壳封装
  • 良好的可见光盲特性
  • 高响应度与低暗电流

技术参数 / Technical Specification

参数 规格
光谱特性 (25 °C)
峰值响应波长 275 nm
峰值响应度 (在 275 nm) 0.13 A/W
光谱响应范围 200~380 nm
紫外/可见光抑制比 (Rmax/R400 nm) >10^4
一般特性 (25 °C)
芯片尺寸 0.25 mm²
暗电流 (1 V 反向偏压) <10 pA
电容 (在 0 V 和 1 MHz) 25 pF
温度系数 -0.1 %/°C
最大额定值
工作温度范围 -40~125 °C
储存温度范围 -40~125 °C
焊接温度 (3 秒) 260 °C
反向电压 20 V
参数图
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