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锑化铟霍尔元件

锑化铟霍尔元件

一款基于锑化铟(InSb)材料的高灵敏度霍尔效应传感器元件,用于精确检测磁场强度,输出电压信号与磁场强度成正比。

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产品特点 / Product Features

  • 高灵敏度霍尔电压输出
  • 宽工作温度范围(-40°C 至 110°C)
  • 输入与输出电阻对称,便于电路设计
  • 低偏移电压,提高测量精度

技术参数 / Technical Specification

参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
绝对最大额定值
最大输入电压 (Vc) Ta=25°C - - 5 V
最大输入功率 (PD) Ta=25°C - - 25 mW
工作温度范围 (Topr) - -40 - 110 °C
储存温度范围 (TSTG) - -40 - 125 °C
电气特性 (Ta=25°C)
输出霍尔电压 (VH*) B=50mT, Vc=1V 196 - 370 mV
输入电阻 (Rin) B=0mT, Ic=0.1mA 240 - 550 Ω
输出电阻 (ROUT) B=0mT, Ic=0.1mA 240 - 550 Ω
偏移电压 (Vos) B=0mT, Vc=1V -7 - +7 mV
VH温度系数 (αVH*) B=50mT, Ic=1mA, Ta=0~40°C - 1.8 - %/°C
Rin温度系数 (αRin*) B=50mT, Ic=5mA, Ta=0~40°C - -1.8 - %/°C
线性度 (ΔK*) B=0.1/0.5T, Ic=5mA - - 0.5 %
参数图
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产品三视图

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