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GaN系列紫外探测器 LD-G385-020S

GaN系列紫外探测器 LD-G385-020S

LD-G385-020S是一款基于氮化镓材料的宽波段紫外光电探测器,采用SMD2835封装。它在光伏模式下工作,对UVA、UVB和UVV波段具有高响应度,同时具有良好的可见光盲特性,暗电流极低。适用于紫外线指数监测、辐射剂量测量和火焰探测等应用。

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产品特点 / Product Features

  • 基于氮化镓材料
  • 宽波段UVA+UVB+UVV光电二极管
  • 光伏模式工作
  • SMD2835封装
  • 良好的可见光盲特性
  • 高响应度和低暗电流

技术参数 / Technical Specification

参数 规格
光谱特性 (25 °C)
峰值响应波长 385 nm
峰值响应度 (在385 nm处) 0.18 A/W
光谱响应范围 280~400 nm
紫外/可见光抑制比 (Rmax/R400 nm) >10^4
一般特性 (25 °C)
芯片尺寸 0.2 mm²
暗电流 (1 V反向偏压) <50 pA
电容 (在0 V和1 MHz下) 20 pF
温度系数 -0.1 %/°C
最大额定值
工作温度范围 -28~85 °C
存储温度范围 -40~85 °C
焊接温度 (3 s) 260 °C
反向电压 10 V
参数图
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