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砷化镓霍尔元件

砷化镓霍尔元件

一款基于砷化镓(GaAs)材料的高性能霍尔效应传感器元件。它利用霍尔效应,将磁场强度转换为成比例的电压信号,具有出色的温度稳定性和线性度,适用于广泛的工业和消费电子应用,如位置检测、电流传感和转速测量。

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产品特点 / Product Features

  • 基于砷化镓材料,性能稳定可靠
  • 宽工作温度范围(-40°C 至 +125°C)
  • 出色的输出电压线性度和低温度系数
  • 输入/输出电阻对称,便于电路设计

技术参数 / Technical Specification

参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
绝对最大额定值
最大输入电压 (Vc) Ta=25°C - - 5 V
最大输入功率 (PD) Ta=25°C - - 25 mW
工作温度范围 (Topr) - -40 - +125 °C
存储温度范围 (TSTG) - -45 - +150 °C
电气特性 (Ta=25°C)
输出霍尔电压 (VH) B=50mT, Ic=5mA 36 45 54 mV
输入电阻 (Rin) B=0mT, Ic=0.1mA 650 750 850 Ω
输出电阻 (ROUT) B=0mT, Ic=0.1mA 650 750 850 Ω
失调电压 (Vos) B=0mT, Ic=5mA -5 - +5 mV
VH温度系数 (αVH) B=50mT, Ic=5mA, Ta=25~125°C - - 0.06 %/°C
Rin温度系数 (αRin) B=0mT, Ic=0.1mA, Ta=25~125°C - - 0.3 %/°C
线性度 (ΔK) B=0.1/0.5T, Ic=5mA -1 - +1 %
参数图
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产品三视图

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